.. 차니쓰 리서치
CHANESS RESEARCH
수천억짜리 빛 도장
반도체 · 공정·장비 · 2026-10-03 · 유튜브 주식을 요리하다
칩 회로를 '빛으로 찍는' 노광 장비, 그중에서도 극자외선(EUV) 장비 이야기예요. 핵심은 두 가지 — 파장 13.5nm의 아주 짧은 빛, 그리고 이 빛이 유리 렌즈를 통과하지 못해 거울로만 꺾어야 한다는 점.
한눈에 흐름
주석 방울 + 레이저→EUV 빛(13.5nm)→거울로 꺾기→마스크(회로 원판)→웨이퍼 노광
레이저로 주석 방울을 때려 EUV 빛을 만들고, 거울로만 꺾어 마스크에 비추면, 마스크의 회로 그림이 웨이퍼에 줄어들어 찍혀요.
30초 이해
이게 뭔가요?빛을 비춰 마스크의 회로 무늬를 웨이퍼 위 감광막에 옮기는 장비(노광 장비)예요. 사진을 인화하는 것과 비슷해요.
뭐가 어렵나요?선을 가늘게 찍으려면 빛의 파장이 짧아야 하는데, EUV는 공기를 포함해 거의 모든 물질에 흡수돼요. 그래서 진공이 필요하고 유리 렌즈도 못 써요.
어떻게 푸나요?장비 속을 진공으로 비우고, 렌즈 대신 얇은 막을 여러 겹 쌓은 거울로만 빛을 꺾어요.
장면으로 따라가기
옆으로 넘겨 보세요 → (9장면)

1마스크 그림이 4분의 1로 줄어요
회로 원판인 마스크에 빛을 비추면, 그 그림이 웨이퍼에 4분의 1로 줄어 새겨져요.

2한 번에 찍는 크기는 26×33mm
노광 장비가 한 번에 찍는 크기가 칩의 크기 한계를 정해요. 이보다 큰 칩이나 인터포저는 여러 번 이어 찍거나 패키징으로 붙여요.

3선이 가늘수록 파장은 짧게
더 가는 선을 그리려면 빛의 파장도 짧아야 해요.

413.5nm 극자외선, EUV
그래서 파장 13.5nm의 극자외선(EUV)을 써요.

5공기도 빛을 먹어요
EUV는 공기에도 흡수돼서, 장비 속을 진공으로 비워요.

6주석 방울을 레이저로 두 번
지름 약 25µm의 주석 방울에 약한 레이저를 쏴 납작하게 만든 뒤, 강한 레이저로 증발시켜 빛을 내요. 이걸 1초에 5만 번 반복해요.

7렌즈 대신 거울
유리 렌즈도 이 빛을 흡수해요. 그래서 얇은 막을 여러 겹 쌓은 거울로만 빛을 꺾어요.

8꺾을 때마다 빛이 줄어요
거울 한 장이 되돌리는 빛은 많아야 70%예요. 여러 번 꺾이고 나면 웨이퍼에는 처음 빛의 일부만 닿아요.

9High-NA는 더 가늘게, 찍는 크기는 절반
빛을 모으는 각도(NA)를 0.33에서 0.55로 키운 장비예요. 선을 더 가늘게 찍는 대신 한 번에 찍는 크기는 기존의 절반이에요.
비유로 이해하기
💡 도장 찍기와 사진 인화로 생각해 보세요마스크는 회로 그림이 새겨진 도장 원판이고, 빛은 그 도장을 웨이퍼에 찍어 주는 잉크 역할을 해요. 이 장비에서는 그림이 4분의 1로 줄어 찍혀요.
보통 사진 장비는 유리 렌즈로 빛을 모으지만, EUV 빛은 유리도 먹어 버려요. 그래서 렌즈 대신 거울만 써요.
다만 거울 한 장이 되돌리는 빛은 많아야 70%예요. 여러 번 꺾일수록 빛이 줄어서, 웨이퍼에는 처음 빛의 일부만 닿아요.
숫자로 보기
13.5 nmEUV 빛의 파장 — 선을 가늘게 찍으려면 파장이 짧아야 한다
1초에 5만 번주석 방울을 레이저로 때려 EUV 빛을 만드는 횟수
최대 약 70%다층 거울 한 장이 되돌리는 빛의 비율(자이스 기준)
26×33 mmNXE:3400C가 한 번에 찍는 최대 크기 — 지난 편 CoWoS의 3.3배·3.5배가 이 크기 기준
산업에서 왜 중요한가
- 칩을 얼마나 크게 만들 수 있는지는 한 번에 찍는 크기가, 선을 얼마나 가늘게 그릴 수 있는지는 빛의 파장이 정해요.
- EUV 장비를 파는 회사는 ASML 하나뿐이에요. 가격은 공개되지 않았고 언론 보도로는 기존 장비 약 1.7억 유로, High-NA 약 3.5억 유로 수준이에요. 그래서 마스크 원판(블랭크마스크) 같은 주변 소재·부품의 국산화가 함께 주목받아요.
누가 만드나
세계 큰손 (해외)
ASML (네덜란드)EUV 노광 장비를 파는 유일한 회사
ZEISS (독일)EUV 장비 안의 거울 광학계를 만드는 회사
HOYA (일본)EUV용 블랭크마스크(마스크 원판)를 대부분 공급하는 업체 중 하나
AGC (일본)EUV용 블랭크마스크를 공급하는 업체 중 하나
국내
에스앤에스텍블랭크마스크와 펠리클(마스크 보호 덮개)을 만들어요. EUV용은 품질 평가가 마지막 단계이고 공급은 2027년으로 예상돼요
에프에스티마스크 보호 덮개(펠리클)를 만드는 EUV 부품 회사예요. EUV용은 양산 준비 단계로 거론돼요
동진쎄미켐노광 공정에 쓰는 빛에 반응하는 감광액(포토레지스트)을 대는 회사예요
해외 회사는 업계에 널리 알려진 대표 업체를 골랐고, 국내 회사는 소부장 자료에 나온 곳만 담았으며 EUV용 블랭크마스크 국산화는 아직 검증 단계입니다. 회사 소개일 뿐 투자 추천이 아닙니다.
영상으로 보기
YouTube에서 보기 ↗더 깊이 — 원문 요약·용어 정리·출처
칩 회로는 펜으로 그리지 않고 빛으로 찍습니다. 그 도장이 한 대에 수천억 원짜리 EUV 노광 장비이고, 이 장비는 렌즈를 쓰지 못합니다.
영상에서 보는 것
- 노광: 머리카락보다 수천 배 가는 회로를 빛으로 찍는 공정
- 회로 원판인 마스크의 그림이 웨이퍼에 4분의 1로 줄어 새겨집니다
- 한 번에 찍는 크기는 가로 26mm, 세로 33mm입니다. 지난 편 CoWoS의 3.3배·3.5배가 바로 이 크기 기준입니다
- 선이 가늘수록 빛의 파장도 짧아야 해서, 파장 13.5nm 극자외선(EUV)을 씁니다
- 이 빛은 공기에도 흡수돼 장비 속을 진공으로 비웁니다
- 주석 방울을 레이저로 두 번 때려 1초에 5만 번 빛을 만듭니다
- 유리 렌즈도 이 빛을 흡수해서 거울로만 빛을 꺾습니다
- 거울 한 장이 되돌리는 빛은 많아야 70%라 여러 번 꺾이면 웨이퍼에는 처음 빛의 일부만 닿습니다
- 이 장비를 파는 회사는 네덜란드 ASML 하나입니다
- 최신 High-NA 장비는 선을 더 가늘게 찍는 대신 한 번에 찍는 크기가 절반입니다
- 블랭크마스크는 대부분 일본에서 들여오고, 한국 소부장이 국산화에 도전하고 있습니다
핵심 요약
칩 하나를 얼마나 크게 만들 수 있는지는 노광 장비가 한 번에 찍는 크기가 정하고, 선을 얼마나 가늘게 그릴 수 있는지는 빛의 파장이 정합니다. 그래서 EUV 장비는 진공 속에서 거울로만 빛을 다루고, 공급사는 ASML 한 곳뿐입니다.
출처
ASML EUV 광원 설명·NXE:3400C·EXE:5000 제품 페이지, ZEISS SMT EUV 광학 페이지, TSMC 3DFabric CoWoS 소개 페이지, TechCrunch(2026년 6월), 블랭크마스크 국산화 관련 보도(2026년 7월). 기준일 2026년 10월 2일.
같은 산업(반도체) 다른 편
투자 권유가 아닌 기술 설명입니다. 특정 종목의 매수·매도를 권하지 않으며, 그림은 원리를 보여 주는 모식도입니다.