칩을 깎는 식각 장비 속, 웨이퍼를 감싼 부품엔 금속 대신 석영(유리)과 세라믹(도자기)을 씁니다. 금속 부품이 플라즈마에 깎이면 철·니켈 같은 금속 원자가 칩에 묻을 수 있기 때문이고, 웨이퍼를 붙잡는 정전척도 세라믹입니다.
영상에서 보는 것
칩 깎는 장비 속, 웨이퍼를 감싼 부품엔 금속 대신 유리와 도자기를 씁니다
그런데 웨이퍼를 붙잡는 손도, 도자기로 만듭니다
금속 부품이 플라즈마에 깎이면, 철이나 니켈 원자가 칩에 묻을 수 있습니다
그래서 둘레엔 석영을 씁니다. 실리콘과 산소, 두 원소로 만든 유리죠
플라즈마에 닳아도, 금속 원자는 나오지 않습니다
가운데 하얀 원판은 세라믹 정전척입니다. 그 속엔 얇은 금속 전극이 묻혀 있죠
전압을 걸면, 정전기로 웨이퍼를 끌어당깁니다
웨이퍼는 작은 돌기들 위에 놓이고, 그 틈으로 헬륨을 흘려 열을 빼냅니다
플라즈마를 맞는 면엔, 더 잘 버티는 이트리아를 입히기도 합니다
그래도 결국 닳으면, 꺼내서 새것으로 바꿉니다
지금 손에 든 폰의 칩도, 이 유리와 도자기 사이에서 깎였습니다
핵심 요약
식각 챔버에서 웨이퍼 바로 곁의 부품은 플라즈마에 같이 깎입니다. 금속으로 만들면 깎여 나온 금속 원자가 칩을 오염시킬 수 있어, 실리콘·산소로만 된 석영과 세라믹으로 만듭니다.
웨이퍼를 붙잡는 정전척은 세라믹 판 속에 전극을 묻어 정전기로 웨이퍼를 당기고, 판 위 작은 돌기와 그 틈의 헬륨으로 웨이퍼 온도를 맞춥니다. 플라즈마를 맞는 면은 이트리아 같은 코팅으로 버티게 하고, 닳으면 꺼내서 세정하거나 새것으로 바꿉니다.
용어 정리
석영(쿼츠, 석영 유리)
이산화규소(SiO2)로만 된 유리입니다. 실리콘과 산소뿐이라 플라즈마에 깎여도 금속 불순물이 나오지 않아, 식각 챔버의 링·덮개·창 같은 부품에 씁니다. 온도가 바뀌어도 거의 늘지 않는 유리로도 알려져 있습니다(NIST가 잰 실온 열팽창 계수 약 0.4×10⁻⁶/K, Heraeus 전기 용융 석영 기준).
세라믹
알루미나(산화알루미늄)·질화알루미늄처럼 구워 만든 무기 재료입니다. 전기가 잘 안 통하고 열과 플라즈마에 강해 챔버 부품과 정전척 몸체로 씁니다.
정전척(ESC, Electrostatic Chuck)
세라믹 판 속에 금속 전극을 묻은 웨이퍼 받침입니다. 전극에 전압을 걸면 전하가 판 표면으로 모여 웨이퍼를 정전기 힘으로 붙잡습니다. 집게 없이 웨이퍼 전체를 고르게 잡을 수 있습니다.
돌기(메사)와 헬륨
정전척 표면에는 웨이퍼를 받치는 작은 돌기가 흩어져 있고, 웨이퍼와 판 사이 틈으로 헬륨 같은 기체를 흘려 플라즈마가 데운 웨이퍼의 열을 판으로 옮깁니다.
이트리아(산화이트륨, Y2O3)
불소 플라즈마에서 알루미나보다 덜 깎이는 세라믹입니다. 표면에 생기는 불화이트륨 층이 더 깎이는 것을 막아, 챔버 벽·부품에 용사 코팅으로 입힙니다.
금속 오염
챔버 부품에서 나온 철·크롬·니켈·알루미늄 같은 금속 원자가 웨이퍼에 묻는 것입니다. 소자의 누설 전류를 늘리는 등 칩 불량의 원인이 됩니다.
※ 석영 부품의 금속 불순물 방지는 미국 특허 US6444087B2(Hitachi), 부품 알루미늄이 웨이퍼 막에 박혀 D램 누설 전류를 늘리는 문제와 석영 입자는 US20020102858A1, 석영 유리 열팽창은 NIST(Int. J. Thermophys. 2024), 정전척 전극·전하·돌기(지름 약 0.5~3mm, 높이 5~350µm)·뒷면 헬륨은 US5903428A(Applied Materials), 이트리아와 알루미나 코팅의 플라즈마 식각 비교는 Cao 외(Applied Surface Science 366, 304, 2016), 이트리아 용사 코팅은 US8097105B2(Lam Research), 깎인 부품의 세정·교체는 US7833401B2(Applied Materials)입니다(2026-10-08 열람).
※ 챔버 배치, 링 모양, 정전척 층 두께, 돌기 크기와 간격(영상의 0.35mm 높이는 특허 범위의 상한), 헬륨 흐름, 원자 크기, 금속 원자가 묻는 모습, 코팅 두께, 폰 내부는 원리를 보여 주는 설명용 그림입니다.
영상에서 못 다 한 얘기
석영 부품이 많이 깎여 나가는 이유는 플라즈마에 노출되는 면이 넓은 데다 입자까지 떨어져 나오기 때문입니다.
특허에는 석영 표면이 입자의 원인이 되기도 한다고 적혀 있습니다.
반대로 금속 부품을 쓰면 알루미늄이 웨이퍼 위 막에 박혀 D램 셀의 누설 전류를 늘린다고 합니다.
그래서 입자 문제를 감수하고도 금속이 나오지 않는 석영을 택해 왔습니다.
이트리아 코팅도 문제가 없진 않습니다. 플라즈마 용사로 입힌 이트리아가 사용 후 벗겨지는 경우가 있다고 특허에 나옵니다.
출처
US6444087B2 / US20020102858A1 / Tew et al., Int. J. Thermophys. (2024, NIST) / US5903428A / Cao et al., Appl. Surf. Sci. 366, 304 (2016) / US8097105B2 / US7833401B2. 기준일 2026년 10월 8일.