반도체를 평평하게 가는 연마액(슬러리)은 모래처럼 긁기만 하지 않습니다. 세리아 알갱이가 산화막을 화학 결합으로 붙잡아 뜯어내고, 멈춰야 할 층 앞에선 첨가제 덕분에 알아서 멈춥니다. 그 과정을 3D로 원자 크기까지 열어 봤습니다.
영상에서 보는 것
세리아 알갱이는 막을 붙잡아 뜯어내고, 멈춰야 할 층 앞에서 멈춥니다
칩 맨 아래에는 트랜지스터끼리 전기가 새지 않게 판 도랑(트렌치)이 있습니다
도랑을 산화막으로 채우면 도랑 밖까지 넘치게 덮입니다
이 막을 가는 세리아 알갱이는 약 100nm, 머리카락 굵기(약 0.1mm)의 1/1000쯤입니다
실리카 연마액은 알갱이를 무게로 10% 넘게 넣지만, 세리아는 1%도 안 넣어도 됩니다
세리아 표면이 산화막과 Ce-O-Si 결합을 만들어 꽉 붙잡습니다
이 결합이 막 속 결합보다 세서, 패드가 밀면 막 조각째 뜯겨 나갑니다
막이 다 뜯기면 질화막이 드러나고, 첨가제가 질화막에 달라붙어 알갱이가 잡을 자리를 막습니다
좋은 연마액은 질화막을 100배 넘게 느리게 깎아, 갈기가 거기서 멈춥니다
핵심 요약
CMP 연마액은 물에 아주 작은 연마 알갱이와 첨가제를 섞은 액체입니다.
세리아 알갱이는 산화막과 화학적으로 결합해 막을 끌고 떨어지기 때문에(화학적 이빨), 실리카보다 훨씬 적은 양으로도 잘 갑니다.
첨가제가 질화막만 덮어서, 산화막은 갈리고 질화막에서 갈기가 멈춥니다.
용어 정리
CMP(화학적 기계 연마)
웨이퍼를 갈 면이 아래로 가게 캐리어에 붙여 돌아가는 패드에 눌러 대고, 연마액을 흘리며 표면을 평평하게 가는 공정입니다. 웨이퍼와 패드 사이에 낀 알갱이가 표면을 깎습니다.
연마액(슬러리)
물에 연마 알갱이(세리아·실리카)와 첨가제를 섞은 액체입니다. 업계에서는 보통 슬러리라고 부릅니다.
STI(얕은 도랑 소자 분리)
실리콘 바닥에 트랜지스터 자리 둘레로 도랑을 파고 절연막으로 채워, 소자끼리 전기적으로 떼어 놓는 방법입니다. 도랑을 채우는 동안 도랑 밖에도 산화막이 쌓여서, 이 넘친 막을 CMP로 걷어 냅니다.
질화막(멈춤층)
도랑 밖 실리콘 위에 깔아 두는 아주 얇은 질화규소 막입니다. 평탄화 중 밑면 손상을 막고, 넘친 산화막을 걷은 뒤 따로 벗겨 냅니다.
세리아(산화세륨)
세리아 알갱이 표면의 Ce-OH가 산화막 표면과 반응해 Ce-O-Si 결합을 만듭니다. 이 결합이 막 속 Si-O-Si 결합보다 강해서 알갱이가 움직일 때 막을 끌고 떨어집니다.
선택비
산화막이 깎이는 속도를 질화막이 깎이는 속도로 나눈 값입니다. 글루탐산·피콜린산 같은 첨가제를 넣은 세리아 연마액에서 100이 넘는 선택비가 보고됐습니다. 첨가제가 맞지 않으면 훨씬 낮아집니다.
※ 영상 속 도랑 깊이와 폭, 막 두께, 알갱이 모양, 원자 배치와 결합선은 원리를 보여 주는 그림입니다. 막이 떨어지는 단위는 연구마다 달라, 분자 하나씩 떨어진다는 설명도 있습니다.
영상에서 못 다 한 얘기
연마 알갱이는 장점만 있지 않아서, 표면을 긁어 수율을 깎을 수도 있습니다.
특히 시판 세리아 슬러리에는 크거나 찌그러진 알갱이가 섞여 있어 이런 결함을 더 잘 냅니다.
그래서 연마액이 장비에 들어가기 바로 앞에 필터를 달아 큰 알갱이를 거릅니다.
멈추는 지점도 중요합니다. 너무 오래 갈면 도랑 속 산화막이 오목하게 파이는 디싱이 커집니다.
그래서 질화막이 거의 안 깎이는 연마액이 필요합니다.
출처
R. Srinivasan, P. V. R. Dandu, S. V. Babu 「Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization: A Review」 ECS Journal of Solid State Science and Technology 4(11) P5029 (2015), J.-Y. Lai MIT 박사학위논문 1장(2001). 기준일 2026년 10월 20일. 궁금해질 다음 질문: 다 쓴 연마액과 갈려 나온 막 찌꺼기는 어디로 갈까요? 반도체 공장 속 물건을 3D 단면으로 하나씩 열어 봅니다. 다음 물건이 궁금하면 구독해 두세요.