식각액은 아래로만 안 녹인다

약품으로 깎는 습식 식각은 산화막·질화막 같은 막을 아래로만 녹이지 않고 옆으로도 똑같이 녹입니다. 회로 선을 깎을 땐 약점이던 이 성질이, 3D 낸드에서는 수백 층 속 질화막만 옆으로 빼내는 무기가 됐습니다.

• 식각액은 아래로만 녹이지 않습니다. 옆으로도 똑같이 녹입니다
• 회로를 깎을 땐 약점이던 이 성질이, 지금은 무기가 됐습니다
• 웨이퍼 여러 장을 한꺼번에 약품 통에 담급니다
• 불산은 유리 성분인 산화막을 골라 녹입니다
• 그런데 약은 사방으로 번져, 틀 밑까지 둥글게 깎아 냅니다
• 선이 나노미터로 좁아지며, 회로 깎기는 플라즈마로 옮겨 갔습니다
• 그런데 3D 낸드는 질화막과 산화막을 수백 층 번갈아 쌓습니다
• 세로로 판 틈에 160°C 인산을 채우면, 질화막만 옆으로 녹아 빠집니다
• 산화막은 거의 안 녹아, 빈 틈을 사이에 둔 선반으로 남습니다
• 그 틈을 금속으로 채우면, 저장 칸을 켜는 전극 층이 됩니다
• 여러분 폰 저장 칩도, 이렇게 녹여 낸 자리에 전극이 있습니다

습식 식각

웨이퍼를 약품에 담그거나 약품을 뿌려 드러난 막을 녹여 없애는 공정입니다. 여러 장을 통에 함께 담그는 배치식과 한 장씩 처리하는 매엽식이 있습니다. 건식보다 빠르지만 모든 방향으로 녹입니다.

등방성·언더컷

등방성은 모든 방향으로 같은 빠르기로 깎이는 성질입니다. 그래서 약품은 감광액 틀이 덮은 아래쪽까지 옆으로 파고드는데, 이를 언더컷이라고 부릅니다.

불산(HF)

산화막(이산화규소, 유리의 주성분)을 녹이는 약품입니다. 실리콘은 거의 녹이지 않아 산화막만 골라 없앨 때 씁니다.

질화막·산화막

질화막은 실리콘과 질소로, 산화막은 실리콘과 산소로 된 얇은 막입니다. 3D 낸드는 이 둘을 한 쌍으로 수백 층 쌓은 뒤 질화막 자리를 전극으로 바꿉니다.

인산 식각

진한 인산을 보통 158~165°C로 데워 쓰면 질화막은 녹이고 산화막은 거의 남깁니다. 3D 낸드에서는 세로로 판 긴 홈(슬릿)이 인산이 들어가는 통로입니다.

워드라인

같은 층의 저장 셀들을 한 줄로 이어 켜고 읽고 쓰게 하는 전극 층입니다. 질화막이 빠진 틈에 텅스텐 같은 금속을 채워 만듭니다.