회로 원판(마스크)에 씌우는 얇은 막, 펠리클 위에 앉은 먼지는 웨이퍼에 찍히지 않습니다. 비밀은 막 자체가 아니라, 마스크 회로와 막 사이 몇 mm의 틈 — 그 거리만큼 먼지가 초점 밖으로 밀려납니다.
영상에서 보는 것
펠리클 위 먼지는 찍히지 않습니다 — 마스크에 씌운 얇은 막입니다
비밀은 막이 아니라, 마스크와 막 사이 몇 mm 틈에 있습니다
노광기는 마스크의 회로 무늬를 빛으로 줄여 웨이퍼에 찍습니다
그런데 마스크에 먼지 한 톨이 앉으면, 칩 자리마다 똑같이 찍힙니다
그래서 틀을 세워 머리카락보다 훨씬 얇은 막을 씌웁니다
이제 먼지는 회로에서 몇 mm 떨어진 막 위에 앉습니다
초점은 회로에만 맞아서, 막 위 먼지는 흐릿하게 번져 맺히지 않습니다
EUV에선 더 어렵습니다 — 이 빛(13.5 nm)은 대부분 물질에 흡수됩니다
반사 마스크라 빛이 막을 두 번 지나, 90%씩 통과해도 81%만 남습니다
흡수된 빛은 열이 되고, 진공 속 막은 수백 도를 견뎌야 합니다
핵심 요약
펠리클은 먼지를 없애는 막이 아니라, 먼지가 앉을 자리를 회로에서 몇 mm 떨어뜨려 놓는 막입니다. 노광기의 초점은 마스크 회로 면에만 맞아 있어서, 그 거리만큼 떨어진 먼지는 웨이퍼에 맺히지 않습니다.
EUV용 펠리클은 빛을 거의 다 삼키는 13.5 nm 빛을 두 번 통과시켜야 하고, 그 과정에서 생긴 열을 진공 속에서 견뎌야 해서 만들기가 훨씬 어렵습니다.
손에 쥔 폰 칩의 회로도, 이렇게 마스크에서 빛으로 옮겨 찍은 것입니다.
용어 정리
펠리클
마스크의 회로 면 위에 틀을 세우고 씌우는 아주 얇은 막입니다. 먼지가 마스크에 직접 닿지 않고 몇 mm 떨어진 막 위에 앉게 해, 노광 때 먼지가 웨이퍼에 찍히지 않게 합니다.
마스크(레티클)
칩 회로 무늬가 그려진 원판입니다. 노광기는 이 무늬를 빛으로 줄여 웨이퍼에 찍습니다(EUV 노광기는 4배 축소). 마스크에 결함이 있으면 그 무늬를 찍는 칩 자리마다 같은 결함이 반복됩니다.
초점
노광기 렌즈(EUV는 거울)는 마스크의 회로 면에 초점을 맞춥니다. 회로 면에서 몇 mm 떨어진 펠리클 위의 먼지는 초점 밖이라 상이 맺히지 않습니다.
EUV
파장 13.5 nm의 극자외선입니다. 대부분의 물질이 이 빛을 흡수하기 때문에 렌즈 대신 거울과 반사형 마스크를 쓰고, 펠리클 막도 극도로 얇아야 합니다.
두 번 통과
EUV 마스크는 빛을 반사하므로, 빛이 마스크로 갈 때 한 번, 반사돼 나올 때 한 번 펠리클을 지납니다. 한 번에 90%가 통과하면 두 번 뒤엔 0.9×0.9 = 81%만 남습니다(펠리클 요구 성능의 하한으로 쓰이는 값). 최신 탄소나노튜브(CNT) 펠리클은 한 번 통과율 94% 이상을 목표로 개발되고 있습니다.
펠리클 열
막이 흡수한 빛은 열이 되고, 진공 속에서는 공기로 식힐 수 없습니다. ASML은 자사 EUV 펠리클이 고진공에서 최대 500 ℃를 견딘다고 밝혔습니다.
※ 막 위 먼지가 초점 밖이라 찍히지 않는다·막이 패턴 면에서 몇 mm·90%/81%는 GlobalFoundries 특허 US20150168824A1, 머리카락 대비 얇기·500 ℃·흡수 설명은 ASML(2022-09-14), 13.5 nm 빛이 대부분 물질에 흡수된다는 설명은 imec(2020-10-07), CNT 펠리클 94%는 미쓰이화학 보도자료(2023-12-15) 기준입니다(2026-10-06 열람).
※ 영상 속 마스크·틀 모양과 크기, 먼지 크기(실제는 수 µm 안팎을 크게 그림), 빛 원뿔의 각도, 막 속 결정립 모양, 광자 수, 열 색, 노광 스테이지와 폰은 원리를 보여 주는 그림입니다.
영상에서 못 다 한 얘기
막이 얼마나 얇고, 얼마나 버텨야 하는지입니다.
막 두께는 수십 nm, 머리카락보다 수천 배 얇습니다.
EUV 막은 고진공 속에서 최대 500도까지 견디도록 만들었다고 ASML이 밝혔습니다.
영상의 "90%씩 통과"는 요구되는 최저선이고, 최근 탄소나노튜브 막은 94% 이상 투과를 목표로 개발 중입니다.
출처
ASML 「Indistinguishable from magic: the EUV pellicle」(2022-09-14), imec 「Imec demonstrates CNT pellicle utilization on EUV scanner」(2020-10-07), US Patent Application 20150168824A1(GlobalFoundries), US 20170269473A1(IBM), 미쓰이화학 보도자료(2021-05-26, 2023-12-15, 2026-04-23). 기준일 2026년 10월 6일.