칩을 쌓을 때 땜납 범프 없이 구리와 절연막(유리막)을 한꺼번에 붙이는 '하이브리드 본딩' 이야기예요. 핵심은 두 가지 — 유리막끼리 먼저 달라붙는다는 것, 그리고 열을 가하면 구리가 부풀어 틈을 메운다는 것.
한눈에 흐름
면 평탄하게 연마→실온에서 맞대기→열처리→구리가 하나로
아주 평평하게 간 두 면을 먼저 실온에서 붙이고, 열로 구워 패인 구리 틈까지 메우면 구리끼리 하나로 이어져요.
30초 이해
이게 뭔가요?칩을 쌓을 때 범프 없이 구리는 구리끼리, 절연막은 절연막끼리 직접 붙이는 기술이에요.
뭐가 어렵나요?면이 아주 평평하고 깨끗해야 해요. 먼지나 거칠기가 조금만 있어도 맞닿는 걸 방해해요.
어떻게 푸나요?구리 패드를 일부러 살짝 패이게 두고 절연막끼리 먼저 붙인 뒤, 열을 가해요. 그러면 부푼 구리가 틈을 스스로 메워요.
장면으로 따라가기
옆으로 넘겨 보세요 → (9장면)
1범프 없이 쌓는 하이브리드 본딩
땜납 범프 없이 칩을 쌓는 방식이에요. 구리는 구리끼리, 절연막은 절연막끼리 한꺼번에 붙여요.
2지금 HBM은 범프로 쌓는다
지금 HBM은 칩 사이에 작은 땜납 범프를 끼우고 틈은 충전재로 채워요. 그만큼 탑이 높아져요.
3먼지 한 톨 없이 평평하게
범프 대신 칩 면을 연마(CMP)로 아주 평평하게 갈아요. 거칠기나 먼지가 있으면 맞닿는 걸 방해해요.
4구리 패드는 살짝 패여 있다
구리 패드는 둘레 산화막보다 살짝 오목하게 둬요. 실제 하이브리드 본딩은 연마를 조절해 보통 수 나노미터(패드 간격 1 µm 이하면 5 nm 미만)로 맞춰요. 다마신 공정 직후 손대지 않으면 최대 50 nm까지 패이는데, 그만큼 깊으면 열처리로도 틈을 다 못 메워요.
5유리막끼리 먼저 붙는다
실온에서 두 면을 맞대면 구리가 아니라 산화막(유리막)끼리 먼저 달라붙어요. 이때 구리는 아직 닿지 않아요.
6수백 도로 구우면 구리가 부푼다
열처리를 하면 구리가 유리막보다 훨씬 더 늘어나요. 그래서 패인 틈을 메우고 맞은편 구리를 눌러요.
7경계선이 사라질 만큼 하나로
400 °C 실험에서는 처음 맞닿았던 경계면이 사라졌어요. 열 덕분에 구리 원자가 서로 섞여 하나가 된 거예요.
8연결이 약 15배 촘촘해진다
AMD가 3D V-Cache 제품 소개서에서 밝힌 수치예요. 솔더 범프로 쌓는 기존 방식보다 연결 밀도가 약 15배예요.
9카메라 센서에서 AI 메모리로
카메라 이미지 센서에 먼저 쓰였어요. 이제 20층 넘는 AI 메모리용으로 준비 중이고, 지금 HBM은 아직 범프 방식이에요.
비유로 이해하기
💡 빵 반죽이 부푸는 모습으로 생각해 보세요
두 판을 맞대면 판 표면(유리막)끼리 먼저 붙어요. 가운데 구리 자리는 살짝 파여 있어서 아직 서로 닿지 않죠.
그 상태로 오븐에 넣으면 구리가 반죽처럼 부풀어 올라요. 둘레 유리막보다 구리가 열에 훨씬 더 많이 늘어나거든요.
부푼 구리가 빈틈을 꽉 메우고 맞은편 구리와 눌려 붙어요. 누르는 기계 없이 열만으로요.
숫자로 보기
수 nm (미세 피치는 5 nm 미만)접합 전 구리 패드가 둘레 산화막보다 오목하게 맞춰 두는 깊이. 연마를 조절하지 않은 다마신 직후엔 최대 50 nm까지 패이지만, 그대로면 접합에 불리해요
수백 도 (예: 400 °C)맞붙인 칩을 굽는 온도 — 구리가 부풀고 원자가 서로 섞여 붙는다
약 15배솔더 범프로 쌓을 때보다 촘촘한 연결 밀도(AMD 3D V-Cache 제품 소개서 기준, 한 회사 제품 기준)
20층 이상SK하이닉스가 하이브리드 본딩을 개발 중이라고 밝힌 HBM 단수(지금 HBM은 범프 방식)
보완(2026-10-21): 영상에선 패임을 '수십 나노미터'라고 했는데, 그건 다마신 공정 직후 손대지 않았을 때 값이었어요. 실제 접합 전 목표는 수 nm예요. 시청자 댓글 지적으로 바로잡았어요. 근거: IEEE EPS Chen 2025 리뷰, ECS JSS 2024(SiCN 패임 최소화), AVS CMP 리뷰.
산업에서 왜 중요한가
범프와 충전재가 차지하던 높이가 줄면 같은 높이 안에 더 많은 층을 쌓을 수 있어요. 층 수가 16~20층 이상으로 늘어나는 HBM에 중요해요.
연결 간격이 좁아지면 신호가 가장 짧은 거리로 오가요. 대신 면을 아주 평평하고 깨끗하게 만드는 연마와 세정이 핵심 과제예요.
누가 만드나
세계 큰손 (해외)
BE Semiconductor Industries, Besi (네덜란드)하이브리드 본딩 장비로 널리 알려진 패키징 장비 회사
EV Group (오스트리아)웨이퍼끼리 붙이는 본딩 장비를 만드는 회사
Applied Materials (미국)연마(CMP) 등 전공정 장비와 하이브리드 본딩 장비 분야에도 참여하는 대형 장비사
국내
한미반도체TC본더와 하이브리드 본더를 만드는 후공정 장비 회사
케이씨텍면을 평평하게 가는 연마(CMP) 장비와 슬러리를 만드는 회사
해외 회사는 업계에 널리 알려진 대표 업체를 골랐고, 국내 회사는 소부장 자료에 이 주제와 관련해 나오는 곳만 적었습니다. 회사 소개일 뿐 투자 추천이 아닙니다.
칩을 구리로 붙이는데, 붙는 순간엔 구리끼리 닿아 있지 않습니다. 땜납 범프 없이 칩을 쌓는 하이브리드 본딩은 먼저 유리막(산화막)끼리 붙고, 수백 도로 구워야 구리가 부풀어 틈을 메우고 하나가 됩니다.
영상에서 보는 것
칩을 구리로 붙이는데, 붙는 순간엔 구리끼리 닿지 않습니다
땜납 범프 없이 칩을 쌓는, 하이브리드 본딩입니다
지금 HBM은 칩 사이에, 작은 땜납 범프를 끼워 쌓습니다
범프와 그 틈을 메운 충전재만큼, 탑이 높아집니다
하이브리드 본딩은 범프 대신, 칩 면을 먼지 한 톨 없이 평평하게 갑니다
그 면의 구리 패드는, 둘레 유리막보다 수십 nm 패여 있습니다
그래서 실온에서 맞대면, 유리막끼리만 먼저 달라붙습니다
이제 수백 도로 구우면, 구리가 유리막보다 더 부풀어 틈을 메웁니다
맞닿은 구리는 경계선이 사라질 만큼, 하나로 붙습니다
범프로 쌓을 때보다, 연결을 약 15배 촘촘하게 놓습니다(한 칩 회사의 적층 캐시 제품 발표 기준)
카메라 센서 칩에 먼저 쓰인 이 방식을, 이제 20층 넘는 AI 메모리에 쓰려 합니다(개발 중, 지금 HBM은 범프 방식)
핵심 요약
하이브리드 본딩은 칩 면의 구리 패드와 그 둘레 절연막을 한꺼번에 맞붙이는 방식입니다. 범프와 언더필이 차지하던 틈이 없어져 같은 높이에 더 많은 층을 쌓고, 연결 간격도 훨씬 좁힐 수 있습니다.
비결은 순서입니다. 연마로 구리 패드를 살짝 오목하게 남긴 채 실온에서 절연막끼리 먼저 붙이고, 열처리 때 구리가 절연막보다 더 팽창하는 성질로 패인 틈을 스스로 메웁니다. 그래서 면이 아주 평평하고 깨끗해야 합니다.
용어 정리
HBM(고대역폭 메모리)
D램 칩 여러 장을 수직으로 쌓아 GPU 바로 옆에 붙인 메모리입니다. 지금은 칩 사이를 범프로 잇고 틈을 보호재로 채웁니다.
범프·마이크로범프
쌓인 칩 사이에서 위아래 칩을 잇는 작은 금속 돌기입니다. 구리 기둥 끝에 땜납을 얹어 녹여 붙입니다.
언더필(충전재)
범프 사이 틈을 채워 접합을 보호하고 열을 빼는 데 돕는 재료입니다.
하이브리드 본딩
금속(구리)은 금속끼리, 절연막은 절연막끼리 한 번에 붙이는 범프 없는 접합입니다. 첫 상용은 CMOS 이미지 센서였습니다.
CMP(화학적 기계 연마)
회전하는 패드와 연마액으로 웨이퍼 면을 평평하게 가는 공정입니다. 하이브리드 본딩에서는 구리 패드의 패임 깊이까지 맞춰야 합니다.
패임(디싱)
연마 뒤 구리 패드 면이 둘레 절연막보다 오목하게 내려간 상태입니다. 한 리뷰는 최대 약 50 nm, 예시로 약 20 nm를 듭니다.
열처리(어닐링)
맞붙인 칩을 수백 도(예: 400 °C)로 데워, 팽창한 구리가 틈을 메우고 원자가 서로 확산해 붙게 하는 단계입니다. 이때는 누르는 힘이나 진공이 필요 없습니다.
※ 수치·사실은 SK hynix Newsroom(2026-08-25 하이브리드 본딩 Tech Note, MR-MUF), Kuan-Neng Chen(IEEE EPS 기고, 2025-11: 패임 20~50 nm, 실온 산화막 결합, 400 °C 열처리 때 구리 팽창으로 틈 메움, 경계면 소멸, 첫 상용 CMOS 이미지 센서), Nakayama et al. ECS J. Solid State Sci. Technol.(2024), AMD 3D V-Cache 제품 소개서(솔더 범프 3D 적층 대비 약 15배 연결 밀도), Sony Semiconductor Solutions(2022-12-02 게시 글: 2015년 Cu-Cu 접속 양산 기술 확립), SK하이닉스 Hot Chips 2026 발표 보도(20단 이상 HBM용 개발) 기준입니다(2026-10-10 열람).
※ 패임 깊이(실제 수십 nm를 크게 과장), 패드 크기·간격·개수, 막·다이 두께 비율, 결정립 크기, 범프·언더필 모양, 층 수, 장비·패키지 배치, 범프 1개 대 패드 16개 비교 격자는 원리를 보여 주는 설명용 그림입니다.
영상에서 못 다 한 얘기
구울 때는 누르지 않아도 됩니다.
유리막끼리 이미 붙어 있어서, 열처리 단계엔 압력도 진공도 필요 없이 한꺼번에 많이 구울 수 있습니다.
그래도 수백 도가 필요한 까닭은 구리 표면의 얇은 산화막입니다. 이 막이 두 구리의 원자가 서로 넘나드는 걸 막아서, 온도를 올려 확산을 밀어 줘야 합니다.
연구 단계에선 패드 간격을 0.4 µm까지 줄인 접합도 나왔습니다.
출처
SK hynix Newsroom (2026-08-25, MR-MUF) / K.-N. Chen, IEEE EPS (2025-11) / Nakayama et al., ECS JSS 13(7) (2024) / AMD 3D V-Cache product brief / Sony Semiconductor Solutions (2022-12-02) / ServeTheHome·Tom's Hardware, Hot Chips 2026 (2026-08). 기준일 2026년 10월 10일.