HBM 탑을 쌓는 기계
1한 층 붙일 때 몇 초씩 꾹
HBM 탑 한 층을 붙일 때, 기계는 몇 초씩 꾹 눌러요.
2이 기계가 TC 본더
열과 압력으로 D램을 한 장씩 쌓는 장비예요.
3집어서 맞추고, 눌러서 녹인다
칩을 집어 맞춘 뒤 200~300도쯤으로 누르면, 사이의 범프가 녹아 붙어요. 이 온도는 업계 일반값이에요.
4범프는 아주 작다
범프 하나는 지름 20~25µm, 간격은 40µm 안팎이에요.
51.5µm 수준으로 맞춘다
범프가 이렇게 작아서, 위치를 1.5µm 수준까지 맞춰 내려놓아요.
6층마다 되풀이
이 과정을 층마다 되풀이해요. HBM4용 장비는 16층까지 쌓아요.
7높이 제한은 775µm
그래도 탑 전체 높이는 HBM4 규격인 775µm를 넘으면 안 돼요.
8데이터가 탑을 오르내린다
AI에게 질문할 때마다, 데이터는 이렇게 쌓은 탑을 오르내려요.
9손톱만 한 칩 속 세계
손톱만 한 칩 하나에 이런 구조가 들어 있어요. 영상 속 층 수와 구조는 원리를 보여 주는 그림이에요.
얇은 종이를 한 장 올릴 때마다 위치를 정확히 맞추고, 열로 살짝 녹여 붙인다고 상상해 보세요. 한 장이라도 삐뚤어지면 위에 쌓는 장들이 줄줄이 어긋나죠.
TC 본더가 하는 일이 그거예요. 한 층마다 위치를 맞추고, 눌러 붙이고, 다음 층으로 넘어가요.
그것도 16층까지 쌓은 탑이 775µm 높이 제한을 넘지 않아야 해요. 그래서 층이 늘수록 더 얇게, 더 정확하게 눌러야 합니다.
- HBM 성능은 몇 층을 쌓느냐에서 나오고, 층을 쌓는 일은 TC 본더가 해요. 층이 늘수록 더 얇게, 더 정확하게 눌러야 해서 장비 정밀도가 곧 수율이에요.
- 다음 단계로 거론되는 '하이브리드 본더'는 범프 없이 구리 면끼리 직접 붙이는 장비예요. 10µm 이하 피치를 목표로 해요.
국내 회사는 소부장 정리 자료에 나온 표기를, 해외 회사는 업계에 널리 알려진 대표 업체를 골랐습니다. 회사 소개일 뿐 투자 추천이 아닙니다.
더 깊이 — 원문 요약·용어 정리·출처
HBM은 D램을 여러 층 쌓은 탑입니다. 그 탑을 한 층씩 열과 압력으로 꾹 눌러 붙이는 장비가 TC 본더입니다.
- TC 본더는 열(Thermal)과 압력(Compression)으로 D램을 한 장씩 쌓아 붙이는 장비입니다
- 칩을 집어 위치를 맞춘 뒤 대략 200~300도로 몇 초 동안 누르면, 사이의 범프가 녹아 붙습니다
- 범프 하나는 지름 20~25µm, 간격은 40µm 안팎입니다
- 그래서 내려놓는 위치를 1.5µm 수준까지 맞춥니다
- 이걸 층마다 되풀이해서, HBM4용 장비는 16층까지 쌓습니다
- 그래도 탑 전체 높이는 775µm(HBM4 규격)를 넘으면 안 됩니다
- AI에게 질문할 때마다, 데이터는 이렇게 쌓은 탑을 오르내립니다
HBM 성능은 몇 층을 쌓느냐에서 나오고, 층을 쌓는 일은 TC 본더가 합니다. 층이 늘수록 더 얇게, 더 정확하게 눌러야 해서 장비 정밀도가 곧 수율입니다.
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