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CHANESS RESEARCH

이 레이저는 겉을 자르지 않는다

반도체 · 패키징 · 2026-11-02 · 유튜브 주식을 요리하다

웨이퍼를 칩으로 자르는 '레이저 다이싱' 이야기예요. 핵심은 두 가지 — 웨이퍼 겉이 아니라 속에 빛을 모아 금의 씨앗을 심는다는 것, 그리고 테이프를 당겨 갈라내니 깎여 나가는 폭이 없다는 것.

한눈에 흐름

검사 끝난 웨이퍼→레이저로 속에 SD층→테이프 확장→칩으로 분리

레이저가 웨이퍼 속에 금의 시작점(SD층)을 만들고, 아래 테이프를 사방으로 당기면 금이 위아래로 뻗어 칩이 갈라집니다.

30초 이해

이게 뭔가요?검사를 마친 웨이퍼를 칩 하나하나로 나누는 '다이싱' 공정 중, 레이저를 웨이퍼 속에 모아 자르는 스텔스 다이싱이에요.

뭐가 어렵나요?보통 쓰는 다이아몬드 날은 자기 폭(보통 20~40µm)만큼 실리콘을 가루로 갈아 내고, 물도 뿌려야 해요. 깨짐(치핑)과 칩 수율 한계도 문제로 꼽혀요.

어떻게 푸나요?실리콘을 통과하는 레이저 빛을 웨이퍼 속에 모아 금의 시작점만 심고, 테이프를 당겨 갈라내요. 제조사 설명으로는 깎여 나가는 폭이 근본적으로 없고, 물도 필요 없어요.

장면으로 따라가기

옆으로 넘겨 보세요 → (9장면)

1검사 끝난 웨이퍼를 나눌 차례

검사를 마친 웨이퍼를 이제 칩 하나하나로 나누는 다이싱 공정이에요.

2보통은 다이아몬드 날로 간다

다이아몬드 날이 빠르게 돌며 물을 뿌려 웨이퍼를 갈아 내요.

3날 폭만큼 가루로 사라진다

일반 날 폭은 20~40µm예요. 그만큼의 실리콘이 가루가 돼 버려져요.

4레이저 빛은 실리콘을 통과한다

스텔스 다이싱에 쓰는 레이저는 물질을 통과하는 파장의 빛이에요.

5속에 초점을 모아 금의 씨앗

초점을 웨이퍼 속에 모으면 그 자리만 변해 SD층(변질층)이 생겨요. 금이 시작되는 점이에요.

6자를 선을 따라 훑는다

레이저를 선을 따라 훑으면 속에서 금이 한 줄로 이어져요.

7겉면엔 아직 자국이 없다

빛이 속으로 들어가 쓰이니 웨이퍼 겉면은 아직 멀쩡해요.

8테이프를 사방으로 당긴다

아래 테이프를 둘레 방향으로 고르게 당기면 금이 위아래로 뻗어 칩이 갈라져요.

9가루도 물도 없다

톱도 물도 없어 가루가 튀지 않고, 버리는 폭이 없어 칩을 더 얻을 수 있어요.

비유로 이해하기

💡 초콜릿 바에 금을 먼저 내 두기로 생각해 보세요

초콜릿을 칼로 자르면 칼 폭만큼 부스러기가 생기죠. 하지만 가운데에 살짝 금을 내 두고 양쪽에서 당기면 깔끔하게 똑 갈라져요.

스텔스 다이싱이 그 방식이에요. 레이저로 웨이퍼 속에 금의 씨앗을 심어 두고, 테이프를 사방으로 당겨서 금이 위아래로 뻗게 만듭니다.

겉면엔 아직 아무 자국도 없다가, 당기는 순간 갈라지니 가루가 튀지 않아요.

숫자로 보기

20~40µm일반 다이싱 날의 폭 — 이만큼이 가루로 사라져요

10µm업계에서 가장 얇은 날의 폭 — 홈(커프)도 10µm가 생겨요

0µm스텔스 다이싱의 깎여 나가는 폭 — 제조사 표현 '근본적으로 커프 손실이 없다'를 숫자로 보인 거예요

50µm 미만이보다 얇은 칩은 레이저를 먼저 쏘고 웨이퍼를 갈아 얇게 하는 SDBG 순서를 써요

산업에서 왜 중요한가

칩을 작고 얇게 만들수록 자르는 공정의 역할이 커져요. 날로 갈면 깨짐과 수율 한계가 따라오는데, 레이저는 이 부담을 줄일 수 있는 방식이에요.
두꺼운 웨이퍼는 두께 방향으로 SD층을 여러 줄 만들고, 50µm보다 얇은 칩은 레이저를 먼저 쏜 뒤 갈아 얇게 만드는 식으로 칩 종류에 맞춰 쓰입니다.

누가 만드나

세계 큰손 (해외)

Hamamatsu Photonics (일본)스텔스 다이싱 기술을 개발한 회사

DISCO (일본)다이싱 블레이드(날)와 다이싱 장비로 널리 알려진 회사

국내

이오테크닉스레이저 다이싱 장비

한미반도체후공정 비전 플레이스먼트 장비

해외 회사는 이번 자료의 출처와 업계에 널리 알려진 대표 업체를 골랐습니다. 회사 소개일 뿐 투자 추천이 아닙니다.

영상으로 보기

YouTube에서 보기 ↗

더 깊이 — 원문 요약·용어 정리·출처

웨이퍼를 칩으로 나누는 다이싱. 보통은 다이아몬드 날이 물을 뿌리며 20~40 µm 폭을 갈아 냅니다. 스텔스 다이싱 레이저는 겉을 자르지 않고, 빛을 웨이퍼 속에 모아 금의 씨앗만 심습니다.

영상에서 보는 것

다이싱은 검사를 마친 웨이퍼를 칩 하나하나로 자르는 공정입니다
블레이드 다이싱은 다이아몬드 날을 고속으로 돌리며 물이나 냉각액을 뿌려 자릅니다. 일반 날 폭은 20~40 µm입니다
스텔스 다이싱은 물질을 통과하는 파장의 레이저를 웨이퍼 속에 초점 맞춰, 그 자리에 변질층(SD층)을 만듭니다
SD층에서 윗면·아랫면 쪽으로 금이 생기고, 레이저를 자를 선을 따라 훑으면 금이 선을 따라 이어집니다
아래 테이프를 둘레 방향으로 고르게 당기면(테이프 확장) 금이 윗면·아랫면까지 뻗어 칩이 갈라집니다
제조사 설명으로는 깎여 나가는 폭(커프 손실)이 근본적으로 없고, 세척수가 필요 없는 완전 건식 공정입니다

핵심 요약

날은 자기 폭만큼 실리콘을 가루로 갈아 내지만, 스텔스 다이싱은 웨이퍼 속에 금의 시작점을 심고 테이프를 당겨 갈라냅니다. 버리는 폭이 없어 웨이퍼 한 장에서 칩을 더 얻을 수 있습니다.

용어 정리

다이싱: 웨이퍼를 칩 하나하나로 자르는 공정입니다.
블레이드 다이싱: 다이아몬드 날을 돌려 웨이퍼를 자르는 방식입니다.
스텔스 다이싱: 레이저를 웨이퍼 속에 모아 변질층을 만들고, 테이프를 당겨 칩을 갈라내는 방식입니다.
SD층: 레이저 초점 자리에 생기는 변질층으로, 금이 시작되는 점입니다.
커프(kerf): 날이 지나가며 깎여 나가는 폭입니다.
테이프 확장: 웨이퍼를 붙인 테이프를 사방으로 늘려 칩 사이를 벌리는 단계입니다.

※ '0µm'은 제조사 표현 "근본적으로 커프 손실이 없다"를 숫자로 보인 것입니다.

※ 레이저 빛은 실제로는 눈에 보이지 않습니다. 마젠타 원뿔, SD층 점의 개수·간격, 금의 길이, 단면 비율은 원리를 보여 주는 그림입니다.

※ 영상 속 3D 장면은 AI 도구로 만들었습니다.

영상에서 못 다 한 얘기

레이저 다이싱엔 두 갈래가 있습니다. 겉을 녹여 홈을 파는 방식은 열 영향부가 남습니다.

영상 속 방식은 속에 초점을 맞춰 금의 시작점만 심는 스텔스 다이싱입니다.

두꺼운 웨이퍼는 두께 방향으로 SD층을 여러 줄 만듭니다.

50 µm보다 얇은 칩은 레이저를 먼저 쏘고 웨이퍼를 갈아 얇게 합니다.

가장 얇은 다이아몬드 날은 폭 10 µm로 10 µm 홈을 냅니다.

날로 자를 땐 날 손상을 막으려 물이나 냉각액을 반드시 씁니다.

출처

Hamamatsu Photonics, Stealth Dicing technology / Hamamatsu 용어집 S, Stealth Dicing / Hamamatsu, Wafer dicing 응용 페이지 / DISCO ZHZZ Series 블레이드 페이지 / Silicon Valley Microelectronics SV027(웨이퍼 두께, 화면 비율용) 다음에 궁금해질 질문: 50 µm보다 얇은 칩은 왜 레이저를 먼저 쏘고 나중에 갈까요? 반도체 소부장을 3D 단면으로 하나씩 열어 보는 시리즈입니다. 장비 속을 직접 열어 보고 싶다면 구독해 두세요.

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